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报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发射角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并由此器件制成了２×３二维列阵。
室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵
【摘 要】
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报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于１ｍＷ，发射角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
【出 处】
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高技术通讯
【发表日期】
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1996年5期
【基金项目】
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863计划资助
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