【摘 要】
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报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所 210016,210016,210016,210016,210016
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报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5～ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5～ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。
Reported the 9.6mm gate width double δ-doped power PHEMT, the output power of 3 7.2 8d Bm, power gain of 9.5 d B, the additional power efficiency of 44.7% when fo = 1 1 .2 GHz, Vds = 8.5 V, , In the range of Vds = 5 ~ 9V, the additional power efficiency of the device is greater than 42%, the two chips synthesized in the range of 105 ~ 11.3 GHz, the output power is greater than 39.92 d Bm, the maximum power Reached 40.37d Bm, the power gain is greater than 9.9d B, the typical power added efficiency of 40%.
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