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利用转移矩阵法研究了多层掺杂情况下一维声子晶体的缺陷模特征。研究发现：随着掺杂层数的变化,缺陷模的数目、透射峰和半高宽都有明显的变化。一层掺杂时,只出现一个中心缺陷模,二层掺杂和三层掺杂时除了出现中心缺陷模外,在中心缺陷模的两侧还出现了两个对称缺陷模;中心缺陷模的中心位置随掺杂层数的增加不变,对称缺陷模的中心位置随掺杂层数的增加向禁带中央移动。中心缺陷模和对称缺陷模的透射峰和半高宽都随掺杂层数的增加而减小。