红外吸收法测定硅中氧含量

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sunapplesun

【摘要】

：

<正> 一、前言氧原子是存在于半导体材料硅中的主要非金属杂质之一,是引起硅器件成品率低和质量不稳定的一大因素,这是因为:1.硅单晶中存在的氧含量可高达1016原子/cm3——10

【作者】

：

冯冰

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

1980年04期

【关键词】

：

吸收峰半导体材料氧含量红外吸收法

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<正> 一、前言氧原子是存在于半导体材料硅中的主要非金属杂质之一,是引起硅器件成品率低和质量不稳定的一大因素,这是因为:1.硅单晶中存在的氧含量可高达10¹⁶原子/cm³——10¹⁸原子/cm³在单晶热处理时会产生施主,因而引起电阻率发生剧烈变化,甚至改型。2.进入硅中的氧围绕在重金属杂质的周围,屏蔽了金属原子对少子寿命的作用,经过热

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