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本文用导纳谱法测得低温一次烧结ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下０．２ｌｅＶ处，提出了ＳｒＴｉＯ３顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用，解释了材料ε￣Ｔ曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象，根据给出的含体深能级的等效电路模型，计算机拟合结果与实验数据基本相符。
低温烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级的研究
【摘 要】
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本文用导纳谱法测得低温一次烧结ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下０．２ｌｅＶ处，提出了ＳｒＴｉＯ３顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用，解释了材料ε￣Ｔ曲线上的异常“凸起”和显著
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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1998年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金!59172102
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