薄膜的光谱椭圆偏光计量从容面对45nm及以下节点

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在65和45nm节点,随着新材料和新结构的出现,对薄膜计量的要求变得越来越复杂,可是计量预算更紧张。仅仅在关键制程中监测厚度和折射率已不足以进行制程控制。我们必须测量或推测组分和孔隙率等参数,从而了解光学性质的系统性变化。 At the 65- and 45-nm nodes, the requirements for film metrology have become more sophisticated with the advent of new materials and structures, but the metrology budget has been tighter. It is not enough to monitor the thickness and refractive index of the process in process control. We must measure or infer parameters such as composition and porosity to understand the systematic changes in optical properties.
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