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为了解决单正交零中频混频器I/Q失配造成的影响,提高自身镜像抑制能力。基于电位混频原理采用CMOS 0.18μm工艺设计出一款工作在1.575 42GHz双正交结构的抗失调零中频混频器,通过添加四个电容构成MOSFET-C低通滤波器以及两个在低频段工作的运放构成的输出放大级,射频输入信号能够得到有效处理。测试结果表明该结构在镜像抑制能力上比传统结构改善了6dB左右,电路采用1.8V供电电压,功耗为3.6mW,1MHz频点附近的噪声系数约为17dB,1dB输入压缩点为14.6dBm。