未掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe中杂质的鉴别和研究

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引言当x值大于0.15时,Hg_(1-x)Cd_xTe材料为一种本征半导体。由于禁带宽度随组分x连续变化,故能设计出在1~14微米波长内具有理想性能的Hg_(1-x)Cd_xTe探测器。尽管这种合金系统具有接近本征的载流子浓度,然 Introduction When x value is greater than 0.15, Hg_ (1-x) Cd_xTe material is an intrinsic semiconductor. Since the bandgap varies continuously with component x, a Hg_ (1-x) Cd_xTe detector with ideal performance in the wavelength of 1 ~ 14 μm can be designed. Although this alloy system has a near-native carrier concentration, of course
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