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激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为研究
激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为研究
来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:conqerzhang
【摘 要】
:
利用XRD研究了激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为,研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到FCC晶态结构的转变,从FCC与HCP的结构转变不再发生,这有利于提高
【作 者】
:
刘波
阮昊
干福熹
【机 构】
:
中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
:
无机材料学报
【发表日期】
:
2002年3期
【关键词】
:
激光致溅射沉积
GE2SB2TE5薄膜
结晶行为
激光致相变
X射线衍射
面心立方
光盘
相变光存储材料
Ge2Sb2Te5 laser-induced pha
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利用XRD研究了激光致溅射沉积Ge2Sb2Te5薄膜的结晶行为,研究发现,与热致相变不同的是,激光致相变只发生从非晶态到FCC晶态结构的转变,从FCC与HCP的结构转变不再发生,这有利于提高相变光盘的信噪比。Ge2Sb2Te5薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响。
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