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本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到~(209)Bi;最低能量5keV的As~+、Se~+等重离子的靶流为2～5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ<3％;注入温度:室温～400℃可调。已制备出0.1μm以下的GaAs超薄有源层和硅超浅结。
低能全元素离子注入机
【摘 要】
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本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到~(209)Bi;最低能量5keV的As~+、Se~+等重离子的靶流为2～5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ<3％;注
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所上海200050,上海200050,上海200050
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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1993年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助
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