利用ArF准分子激光退火获得小锗量子点的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ii688

【摘要】

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使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20-25nm的光致量子点（LIQD）,远小于退火前的量子点大小.LIQD的密度约为6×10^10cm^-2.分析

【作者】

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曾玉刚韩根全余金中

【机构】

：

中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

GE量子点 ArF准分子激光退火光致量子点原子力显微镜 Ge quantum dot ArF excimer laser annealing LIQD

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：60336010）和国家重点基础研究发展规划（批准号：G2000036605）资助项目

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使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20-25nm的光致量子点（LIQD）,远小于退火前的量子点大小.LIQD的密度约为6×10^10cm^-2.分析表明,在ArF准分子激光脉冲作用下,退火样品只有表面扩散,并没有体扩散.激光脉冲对表面Ge原子的扩散控制导致了Ge量子点形貌发生了巨大的改变.该方法为获得高密度小尺寸的Ge量子点提供了新的途径.采用原子力显微镜对光致量子点的表面形貌进行了研究.

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