【摘 要】
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<正> 随着SiC单晶和薄膜制备技术日趋成熟以及相关器件工艺的显著进展,各种SiC器件如pn结与肖特基势垒整流器、JFET、MESFET、增强/耗尽型MOSFET、SiC-Si异质结高频双极晶体
【机 构】
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西安理工大学微电子技术教研室710048
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<正> 随着SiC单晶和薄膜制备技术日趋成熟以及相关器件工艺的显著进展,各种SiC器件如pn结与肖特基势垒整流器、JFET、MESFET、增强/耗尽型MOSFET、SiC-Si异质结高频双极晶体管(HBT)、高效太阳能电池等相继出现,Bhatnagar等人经计算分析,指出SiC功率器件(肖特基整流管,VMOSFET)相应同类Si器件的极大优越性在于SiC器件的导通电阻为相应Si器件的几百分之一,加之良好的散热性能,在同样封装条件、结温要求下、SiC功率器件的芯片面积仅为Si器件的二十分之一,从而会部分抵消材料制备等引入的较高成本.尽管SiC器件距商品化尚有一段距离,但已展现出诱人的发展前景.
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