【摘 要】
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利用MOS管饱和电流对于“过驱动电压”的平方关系,提出一种新颖的电压差平方电路,产生相对于温度差的二次项补偿量,对典型的CMOS带隙基准进行曲率校正,获得更小的温度系数.基
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利用MOS管饱和电流对于“过驱动电压”的平方关系,提出一种新颖的电压差平方电路,产生相对于温度差的二次项补偿量,对典型的CMOS带隙基准进行曲率校正,获得更小的温度系数.基于某标准0.5μm CMOS工艺,在-40-120℃范围内,该方法将传统带隙基准的温度系数从21.4×10^-6/℃减小到4.5×10^-6/℃,电路的输入电压可以低至1.8 V,工作电流12μA,输出基准电压可在0-1.2 V之间任意设置.该方法可在任何CMOS工艺或BiCMOS工艺中实现,具有很强的通用性.
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