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研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF（Reduce SURface Field）结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响；发现并解释了该结构纵向击穿时，耐压与浓度关系中特有的“多RESURF平台”现象。研究表明，阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善表面电场分布，提高耐压，降低导通电阻，增大工艺客差；利用少数分区，能得到接近线性变掺杂的耐压，降低了工艺难度。