RESURF结构相关论文
提出了有n缓冲层SOIRESURF结构的电场分布解析模型,采用MEDICI数值仿真,验证了上述模型的正确性。基于所建立的解析模型,获得了......
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击......
提出了一种新的薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ（降低表面电场）结构，称为多漂移区薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构。以双漂移区薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构为例给出了基于二维Ｐ ｏｉｓｓｏｎ方程的角析物理模型。利......
研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF（Reduce SURface Field）结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响；发现并解释了该结构纵......
提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型。并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜ＳＯＩ ＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法。利用这一方......
提出了一种埋空隙PSOI（APSOI）RESURF器件结构，此结构利用空隙相对低的介电系数，在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系，提高了击穿电......
提出了一种阶梯埋氧型SOI（SBOSOI）RESURF器件结构，并解释了该结构的场调制耐压机理，通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性，优化了阶......
