【摘 要】
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降低编程电压,同时仍保持十年的数据记忆时间,一直是多晶硅一氮化硅-氧化硅-硅(SONOS)研究人员面临的一个巨大挑战.本文介绍SONOS可自持存储器器件设计和降低编程电压方面的
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降低编程电压,同时仍保持十年的数据记忆时间,一直是多晶硅一氮化硅-氧化硅-硅(SONOS)研究人员面临的一个巨大挑战.本文介绍SONOS可自持存储器器件设计和降低编程电压方面的进展.硅一氧化硅界面态的退化损害SONOS自持半导体存储器记忆时间的长期可靠性.首次应用在SONOS器件制作工艺上的双步高温氘退火技术,与传统的氢退火相比,显著提高了器件的耐久性能和记忆时间可靠性.我们研制成功一9伏/+10伏(1毫秒)可编程SONOS存储器,在摄氏85度,一千万个擦除/写入操作后,仍能确保十年的记忆时间.本文介绍编程电压降低方面的设计考虑,制作工艺的优化,描述实验过程和SONOS器件的测试,以及用于SONOS自持存储器动态性能测试的基于可编程门阵列的测量系统.
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