ICP刻蚀对InAsP／InP应变多量子阱的损伤

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dizenxu

【摘要】

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为了研究ICP刻蚀对InAsP／InP应变多量子阱的损伤情况，用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP／InP应变多量子阱结构．采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀．通过测量刻蚀前、

【作者】

：

曹萌吴惠桢劳燕锋黄占超刘成张军江山

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院研究生院,武汉邮电科学研究院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年1期

【关键词】

：

干法刻蚀应变量子阱光致发光谱损伤 dry etching strained multiple quantum wells PL spectra damag

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为了研究ICP刻蚀对InAsP／InP应变多量子阱的损伤情况，用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP／InP应变多量子阱结构．采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀．通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱，确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm，应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43．5nm，两者符合得比较好．通过分析损伤产生的机理，认为产生损伤的主要原因是离子隧穿．

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