非对称耦合量子阱吸收与色散的理论研究

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【摘要】

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基于V型三能级模型研究了非对称耦合量子阱(ACQW)线性吸收与色散特性.理论结果表明:在小偏置区,由沿生长方向的外加电场引起的强量子限域Stark频移导致非共振吸收,线性折射率

【作者】

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胡振华黄德修

【机构】

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华中科技大学光电子工程系,武汉理工大学物理系

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

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非对称耦合量子阱量子相干可控色散

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划);

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基于V型三能级模型研究了非对称耦合量子阱(ACQW)线性吸收与色散特性.理论结果表明:在小偏置区,由沿生长方向的外加电场引起的强量子限域Stark频移导致非共振吸收,线性折射率大幅度降低,表现为色散猝灭特性.而随负偏压进一步增加,由于量子限域Stark效应消失,其吸收与色散特性则与单量子阱最低激子态相类似.这意味着ACQW具有随外加电场变化的可控色散特性.

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