【摘 要】
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对电阻加热引上法和感应加热引上法生长 β′ Gd2 (MoO4 ) 3 晶体的实验结果进行了比较 ,分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况。研究认为组分过冷主要与生
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所,南京大学固体微结构物理国家实验室 上海201800,南京210008
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对电阻加热引上法和感应加热引上法生长 β′ Gd2 (MoO4 ) 3 晶体的实验结果进行了比较 ,分析了两种方法生长晶体过程中熔体过冷和组分过冷的情况。研究认为组分过冷主要与生长过程中MoO3 的挥发、Gd2 (MoO4 ) 3 熔体的粘度及固液界面的温度梯度有关 ,并认为感应加热引上法较之电阻加热引上法容易得到优质晶体
The experimental results of resistance heating up method and induction heating up method on β ’Gd2 (MoO4) 3 crystal were compared, and the undercooling of the melt and overcooling of the composition in the two methods were analyzed. It is concluded that the component subcooling is mainly related to the volatilization of MoO3, the viscosity of Gd2 (MoO4) 3 melt and the temperature gradient of the solid-liquid interface during the growth process. It is considered that induction heating is easier to obtain than the resistance heating method Crystal
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