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利用超高真空化学气相淀积设备在Si衬底上生长Ge量子点．通过3因素3水平的正交实验，研究不同的生长参数（衬底温度、GeH4气体流量、生长时间）对Ge量子点生长的影响，从而得到优化的Ge量子点生长参数．透射电镜、x射线双晶衍射测试结果表明，利用优化的生长参数得到的多层Ge量子点材料，具有较好的晶体质量．