SI衬底相关论文
Ag基反射镜提高了薄膜型LED芯片的出光效率,但其易受破坏,通常选择抗腐蚀金属作为其保护材料,同时需要研究保护金属与p-GaN的接触......
GaN基近紫外发光二极管（Light Emitting Diode,LED）具有体积小、功耗低、寿命长、无毒无害等诸多方面的优点,可广泛应用于生物医疗、......
利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO(SMO)作为缓冲层,再沉积LaSrMnO(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结......
GaN基HEMT在大功率和高频器件方面应用广泛.虽然目前硅衬底上生长的GaN层和AlGaN/GaN异质结外延的质量还不及在SiC衬底，但是硅衬底......
作用NH源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度......
本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影......
SiGe-on-Insulator(SiGeOI)是一种新型的SOI材料,是一种具有广阔应用前景的微电子衬底材料.本文采用超高真空化学气相淀积(UHVCVD)......
用Zn(CH)和CO为源,在MOCVD系统中外延ZnO薄膜,基片分别采用AlO(样品1)和Si(样品2).对生长后的样品在空气中900℃退火1小时,分别测......
室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的......
本文针对Si衬底生长GaN特有的形貌采用SEM、EDS、AFM等手段进行了分析,研究了采用AlN作为缓冲层生长的GaN的生长模式、缺陷形成机......
采用MOCVD设备在Si(111)衬底上分别生长了三个不同结构的样品:样品a直接生长1μm厚的GaN;样品b在1.2μm厚GaN中插入一AlN薄层;样品......
采用LP-MOCVD技术在Si(111)上生长六方GaN.有别于传统的二步法,采用高温AlN缓冲层技术,抑制Si衬底与缓冲层之间界面SiN的形成,从而......
本文介绍了利用最近设计完成的冷壁式不锈钢超高真空MBE生长系统,结合MBE和CVD两种生长技术的特点,在2英寸的Si(100)和Si(111)衬底......
本文报道用低压VCD方法在Si及SiCe/Si衬底上大面积、无坑洞SiC薄膜材料的制备技术及异质结构特征,提高n-SiC/p-Si异质结二极管反向......
为了改善Si基LED的电流扩展问题,以及降低其工作电压,本论文阐述了一种工艺简单的新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED),利用ICP在......
Optical contrast determination of the thickness of SiO_2 film on Si substrate partially covered by t
SiO < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 2 </sub>/Si 底层广泛地被用来支持由化学蒸汽免职成年或由 micromechanical 准备的二......
薄电影在 Fe3O4 under-layer 上由劈啪作响的方法扔了的钴铁酸盐的微观结构和磁性在不同 annealing 以后温度被调查。结果证明 Fe3......
Si 底层上的不同 TiO2 薄电影的量的 photoacoustic 调查用有弹性的弯曲方法被介绍。Photoacoustic 信号振幅和阶段系列对调整频率......
The elastic stress fields caused by a dislocation in GexSi1-x epitaxial layer on Si substrate are investigated in this w......
日本三菱电机公司已成功地在Si衬底上制作以前在GaAs衬底制作的人工网膜芯片。人工网膜芯片，能像人的眼睛那样同时进行图像的检出和......
利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半......
用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,Ge_xSi(1-x)材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经......
用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表......
介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分......
在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表......
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长......
近年来,LED器件凭借其体积小、高效节能及使用寿命长等优点,广泛应用于背光照明、显示、阵列投影和道路照明等领域。然而经过多年......
随着科学技术的水平的提高,GaN基LED因为其性能好,发光效率高,寿命长且节能环保等优点,正在逐步进入百姓的生活中,并成为不可缺少......
人工合成金刚石薄膜最重要的应用前景之一是有可能成为新一代高温、高频、大功率半导体器件的材料,但由于多晶金刚石膜中颗粒的晶......
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S......
利用两步原位电子束蒸发技术,在Si(111)衬底上制备了MgB2-B-MgB2超导SNS约瑟夫森夹心结.夹心硼(B)层厚度从10nm到80nm范围内MgB2-B......
对分子束外延生长的嵌入在Si衬底上的边长为20—150μm正方形GaAs层微区进行了微区喇曼和光致发光分析。发现微区GaAs层的喇曼散射......
在Ｓｉ衬底上生长高跨导ｐ型Ｇｅ沟ＭＯＤＦＥＴ＝ｐ－ＴｙｐｅＧｅ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＤＦＥＴ’ｓｗｉｔｈｈｉｇｈｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅｇｒｏｗｎｏｎＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［刊，英］／Ｋｏｎｉｇ，Ｕ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ...
Growth of high-transconductance p-type Ge ditch MODFETs on p-Si substrates = p-TypeGe......
通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个......
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜......
在国内，该文首次报道在Si衬底上，采用化学汽相沉积技术生长出直径达30mm的大面积优质3C-SiC单晶薄膜，表面光亮如镜，其（111）面的X射线衍射......
会议
硅作为一种工艺成熟的半导体材料,为电子学的发展作出了巨大的贡献,但信息技术的兴起使人们想到若把硅基电子学与光子学相结合,必......
该篇论文主要利用MOCVD法在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,对其做了XRD、原子力显微镜、表面光电子能谱、室温光荧光谱等表征分析......
该文主要研究Si(111)衬底上GaN MOCVD生长及特性.针对目前Si(111)衬底生长GaN的几个主要问题进行深入研究,主要包括以下内容:1.研......
氮化铝(AlN)材料具备宽禁带、高热导率、高热稳定性、强击穿电压、高表面声速等优异性质，还具备与GaN相似的晶格常数与热胀系数，使得......
作为第三代半导体,氧化锌(ZnO)是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族直接带系宽禁带半导体材料,其禁带宽度达到3.4eV,具有优异的短波长发光能力；激子......
由于对载流子具有天然的三维限制效应，量子点具有许多新奇的物理特性，使其在微电子、光电子等领域表现出巨大的应用前景。在Si衬底上......
近些年来，InGaN半导体材料凭借其带宽可调且与太阳光谱完美匹配的特点，已成为国际上氮化物材料和新型高效太阳能电池研究领域的前沿......
学位
自从1989年第一支具有pn结的蓝光发光二极管(LED)问世以来,LED发展已经超过60年。GaN基LED是市场的主力,主要的成员是蓝光和绿光LE......
