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对在不同极板负偏压下采用射频-直流等离子体方法制备得到的类金刚石膜（a-C：H）的微结构进行了测量,利用慢正电子束实验装置,探测并分析了样品缺陷浓度的分布情况.结果表明,在不同偏压下制备的薄膜,其膜中缺陷浓度存在很大差别,但在900 V偏压下制得的样品,膜中的缺陷浓度最低.
用慢正电子束测定类金刚石薄膜中的缺陷浓度
【摘 要】
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对在不同极板负偏压下采用射频-直流等离子体方法制备得到的类金刚石膜（a-C：H）的微结构进行了测量,利用慢正电子束实验装置,探测并分析了样品缺陷浓度的分布情况.结果表明,在不
【机 构】
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湖州师范学院理学院,中国科学技术大学理学院,华中科技大学材料科学与工程学院
【出 处】
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江南大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2008年5期
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