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M-SOC是国产自主研发的高性能多核微处理器芯片,片上集成多个运算内核,具有很强的计算能力,传统DDR难以满足其高带宽的访存需求。......
HBM存储器由于超高的存储带宽在大数据、智能计算等领域具有广阔的应用前景.支持超细线宽的硅转接板是实现存储器与芯片间HBM信号......
目的探讨以健康信念模式(HBM)为理论框架的个案管理模式在肝癌PICC置管中的应用价值。方法纳入德州市人民医院2017年12月至2018年1......
HBM(健康信念模式)是Hochbaum于1970年提出、1974年在Becker修订完善后应用于预防性健康行为和实施健康教育的,是运用社会心理学来......
本文介绍了SNMP网络协议,并探讨了基于该协议的发射台遥控遥测技术的最新应用,给出了具体的开发实例,对于多个发射台站就不同类型......
文章阐述了静电放电的工作机理以及静电放电给电子设备或产品所带来的危害。通过实例分析得出电磁兼容性测试中静电放电试验在PCB......
分析了静电放电(ESD)保护的基本原理,指出了传统的用于模拟电路的ESD保护电路在高速电路应用中的局限性.提出了在端口的栅极接地NM......
对采用多指条形GGNMOS结构的ESD保护电路的工作原理进行分析,并对其进行ESD测试实验。理论分析了影响ESD性能的一些因素,提出一种栅......
设计了一种用于芯片静电放电(ESD)防护的双向可控硅(DDSCR)器件。该器件具有对称性或非对称性骤回I-V特性,可以用于多种应用场合。器件......
随着工艺不断的发展,芯片越来越容易被静电放电(ESD)冲击损坏。在动态随机存取存储器(DRAM)芯片中最容易被ESD损坏的模块就是接口(I/O)模......
HBM可以说是普通人接触到的第一款3D堆栈内存.它代表着未来,而DDR内存则是主流代表。下一步是DDR5内存,再加上美光、InteI主导的HMCF......
目的:通过比较Gal-3(Galectin-3)、CKl9、HBME-1在甲状腺乳头状癌及良性甲状腺病变中表达的差异.探讨这三种分子标志物在甲状腺乳头状......
针对采用GG-NMOS结构ESD保护电路的IC芯片在实际应用中出现ESD失效现象,在不额外增加版图面积的情况下通过引入栅耦合技术对现有的......
分析GCNMOS的特点和工作机理,设计一种基于CSMC0.5um 2P3M CMOS工艺下改进的ESD保护电路,并对版图设计进行了优化。测试结果表明,......
本文对所解剖的西德 HBM 公司生产的 C3H2型测力传感器的结构、尺寸、材料、桥路等作了较详细的介绍。并讲述了一些对比测试数据,......
静电就如我们周围的细菌一样,由于原子分子存在,任何物质只要有接触和分离,甚至不接触,通过感应都会产生静电.只要静电电位不相等,......
目的了解中国乳腺癌患者消极情绪表达倾向及其认知影响因素,为情绪表达干预提供依据。方法基于HBM,采用质性研究方法,对46例乳腺癌患......
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下一代内存技术则会有DDR5、HBM、HMC等,它们还会根据不同应用范围衍生出多个版本。预测DDR、HBM及HMC三强争霸的结局还太早了,要......
<正>RUAG公司用HBM测量系统进行飞机全尺寸疲劳试验瑞士RUAG公司的研究人员对瑞士版F/A-18战斗机的加强结构进行了大规模的综合试......
高性能计算需求的发展对微处理器性能提出了更高要求,随着多核架构成为提高其性能的主要途径,高性能微处理器研制面临着越来越严重......
新思科技近日宣布提供运行速度达3.2 Gbps的HBM2E PHY IP核,满足先进图形、高性能计算和网络芯片的高吞吐量要求。通过台积公司CoW......
在永磁交流同步电动机的某些应用场合,如数控机床、加工中心及航天航空工程等,要求电动机能够在低速时输出较大的转矩且能平稳运行......
<正>与之前预期的不太一样,A M D这次把新旗舰打造成了一个独立品牌,一如NVIDIA的GTX Titan显卡一样,定位要比普通的Radeon R9显卡......
<正> 德国HBM公司生产应变片已有五十余年的历史。五十余年来,该公司一直奉行质量至上的原则,赢得了卓著的声誉,并成为世界应变片......
功率MOSFET是将微电子技术和电力电子技术融合起来的新一代功率半导体器件。因其具有输入阻抗高、开关速度快、输出电流大和热稳定......
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在产品造型设计的领域里,从时间来看,人类从蒙昧时代进入文明时代就是在模仿和适应自然规律的基础上不断发展起来的;从范围上讲,仿......
<正>人类骨骼受低密度脂蛋白受体相关蛋白5(low-density lipoprotein receptor-related protein 5,LRP5)的影响。有研究发现,骨质......
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本论文主要是从I/O接口电路、ESD芯片架构两个方面具体深入研究了一种40nm工艺下标准CMOS I/O单元库的设计。本文项目来源于中芯国......
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