【摘 要】
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本文研究了215~353 K温度范围内商用4M 0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上
【机 构】
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中国原子能科学研究院抗辐照应用技术创新中心,国防科技大学
【基金项目】
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国家自然科学基金面上基金资助项目(11475272)
论文部分内容阅读
本文研究了215~353 K温度范围内商用4M 0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加。使用Space Radiation 7.0软件研究了温度对其空间错误率预估的影响,模拟结果显示,SEU截面随温度的变化改变了SRAM SEU截面-LET值曲线形状,导致其LET阈值漂移,从而影响空间错误率预估结果。
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