位移损伤相关论文
针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验，明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量......
为分析质子电离对位移损伤效应的影响机制，基于栅控电荷分离方法，对比分析了横向PNP晶体管3 MeV质子辐照与反应堆中子辐照位移损伤效......
磷化铟(InP)作为第二代化合物半导体材料,抗辐照能力强,光电转换效率高,在光子领域和射频领域具有优势.大气空间中,InP半导体器件......
碳化硅（SiC）材料是禁带宽度为3.2 e V的半导体材料,SiC基器件凭借着其材料所带来的优秀性能,能突破硅基器件性能极限,因此在大功率、......
本文针对图像传感器在空间辐射环境中电学性能退化问题,采用蒙特卡罗方法基于互补金属氧化物半导体(CMOS)APS器件建立几何模型,开......
针对空间辐射导致CCD产生的位移损伤效应，采用IOMeV质子对典型的埋沟CCD器件进行了辐照实验，测试了器件的暗电流、暗电流非均匀性、......
航天器在轨飞行过程中，空间高能电子、质子和重离子等不断地撞击航天器表面，部分高能粒子能够穿透电子器件，引起电子信号电位翻转，产生......
空间的辐射不仅对微电子器件，而且对航天器上所有的材料均可造成严重的损伤，空间辐射环境对航天器的正常运行构成了巨大的威胁。因而......
辐照环境会使材料出现位移损伤,在材料内部产生缺陷.为了研究6 H-SiC晶体材料在受到辐照时缺陷的形成过程,基于分子动力学方法,采......
随着CMOS结构的不断优化、半导体工艺的不断进步，CMOS图像传感器性能有了巨大飞跃。得益于低成本、低功耗、高集成度等优点，CMOS图像......
基于蒙卡软件Geant4，选择和添加原子碰撞物理过程，设置模型中的参数，模拟输运粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算1Mev质子不同厚......
磷化铟(InP)具备电子迁移率高、禁带宽度大、耐高温、耐辐射等特性,是制备空间辐射环境下电子器件的重要材料.随着电子器件小型化,......
研究了ＯＰ－０７双极运算放大器在８ＭｅＶ、１２ＭｅＶ两种能量下的质子辐照效应及损伤特性，并通过对电路内部的损伤分析，探讨了各敏感参数的变化规律．结果表明，由......
CLAM钢是我国自行研制发展的低活化马氏体钢,材料组份为:Cr(8.91%),W(1.44%),V(0.20%),Ta(0.15%),Mn(0.49%),C(0.12%),S(0.003%),S......
开展了电荷耦合器件(CCD)质子辐照损伤的实验研究.分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律,阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退......
质子辐照诱发电荷耦合器件(CCD)中的暗信号。建立了质子辐照电离损伤的辐射效应模型,通过应用半导体器件仿真软件MEDICI进行数值模......
研究了1.3μm超辐射发光二极管(SLD)在γ辐照、质子辐照条件下性能参数的退化情况,并利用Srim软件计算了器件的非电离能损,引入位......
使用加速器对量子阱半导体激光器进行了总通量1×10~(16)cm~(-2)的电子辐照实验.辐射实验结果表明,在辐射环境下激光器的输出功率......
对1.55μm波长DFB结构的In Ga As P多量子阱激光二极管开展电子和60Co-γ射线辐照试验。试验结果表明,激光二极管的斜度效率主要受......
对科学级电荷耦合器件(charge-coupled device,CCD)进行了质子和中子辐照试验及退火试验,应用蒙特卡洛方法计算了质子和中子在CCD......
针对卫星轨道上的空间环境辐射引起电子元器件参数退化问题,为了研究光电器件空间辐射效应、损伤机理以及参数退化规律,对某国产埋......
为评估CCD在高能质子辐照条件下的损伤效应,在西安200 MeV质子应用装置上开展了200 MeV质子辐照CCD的实验研究,在辐照注量为1×101......
X射线探测器是提高X射线脉冲星导航系统精确度的关键器件,传统的X射线探测器已经不能够满足X射线脉冲星导航系统对于高精度的要求,......
GaN基高迁移率晶体管(HEMT)由于其优异的耐高温高压以及抗辐照等性能在卫星通信、空间站等航天领域广泛应用。然而,太空中存在的大......
GaN材料具有宽禁带宽度、高击穿电场和高热导率等优势,在航空航天领域有着广阔的应用前景。虽然GaN材料禁带宽度较大且具有较好的......
粒子束武器的破坏效应是粒子束武器研究中的关键技术之一,本文通过对粒子束与材料相互作用的研究,分析其中涉及的一些基本机制并予......
辐射环境是目前存在的最恶劣环境,在此环境下,几乎所有的电子系统的可靠性都要受到程度不同的影响。因此,研究电子系统和电子器件......
加速器驱动洁净能源系统(ADS)是核能可持续发展的一种创新的技术路线。散裂中子源是ADS的三个主要组成部分之一,产生强度约为10~(......
通过理论计算确定氢离子辐照下武钢产SA738Gr.B钢位移损伤峰值的深度,对不同剂量辐照(0.2、0.5、1.0dpa)前后微观组织的特征和元素......
针对空间辐射导致CCD产生的位移损伤效应，采用IOMeV质子对典型的埋沟CCD器件进行了辐照实验，测试了器件的暗电流、暗电流非均匀性、......
本文基于蒙特卡罗软件Geant4，建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中，描述了原子间库仑散射的物理过程......
本文针对早期快堆中子辐射损伤研究工作中存在的不足和该堆的现状，采用平均位移法对其辐射损伤进行了理论再研究.结果表明：基于平均......
比较不同工艺光电耦合器件抗中子辐照能力的大致情况,分析器件中子位移损伤存在差异的原因。试验研究表明,低输入电流、高电流传输......
针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件和异质结构在西安脉冲反应堆上开展了中子位移损伤效应研究,等效1 MeV中子注量为1×1014 n/c......
信息功能铁电薄膜材料因具有良好的性能，被广泛研究并应用于各个领域。在这些应用当中，铁电随机存储器(FeRAM)相比于当前的存储器，具......
随着航天技术的不断发展，空间辐射会造成微电子器件性能的退化，严重时可使整个电子系统失效。因此，研究微电子器件的辐射效应具有很重......
CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)在空间光电探测领域获得了越来越广泛的应用。空间辐射环境作用于CIS可产生辐射损伤效应:电......
学位
电荷耦合器件(Charge coupled device，CCD)是空间对地遥感、天基目标观测、宇宙天文观测领域应用的核心成像器件。然而，空间辐射环境......
对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑......
针对红外探测器在空间应用中受高能粒子辐照后性能衰退的问题,利用电子束辐照实验,开展了位移损伤对HgCdTe材料红外透射光谱影响的......
为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1 MeV电子辐照......
文章针对光电耦合器的空间辐射损伤效应,在国内首次开展了高能质子辐照对光电耦合器的位移损伤效应试验研究。结果表明：电流传输比......
