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用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的方法，以硅烷为源气体，在玻璃基片上沉积得到多孔的氧化硅薄膜。将反应过程中加在沉积区域的脉冲负偏压同定在一300V，当占宅比从0．162增大到0．864时，薄膜样品的结构、形貌均不相同。拉曼光谱显示，位于480cm-1附近的峰在低占空比条件下存在，但是当占空比升高到0．702时该峰基本消失。位于560cm-1附近的峰则随着占窄比的继续升高而增强，并出现蓝移，这说明薄膜样品中的非晶硅在占空比升高时消失，氧化硅所占比例不断增加，同时颗粒变小。扫描电镜照片也表明，组成多孔