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对一种适合于X波段通信系统的RFMEMS可变电容进行了结构设计和工艺实现。该电容用高阻硅作为衬底材料，采用凹形和T形梁结构，整个结构由金材料组成；静电驱动，采用驱动信号与微波信号分离的方法。用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟，随着驱动电压的变化，电容上极板产生位移变化，电容值相应地发生变化；设计了相应的工艺流程，实现了X波段MEMS可变电容的工艺制作和测试，该工艺与集成电路工艺兼容。S参数9n．4试结果表明，在9GHz时Q值可达32．5，电容调节范围为28．8％。