【摘 要】
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采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性
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采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140W升高到180W后,沉积速率显著增加,由3.5nm/min增加到了9.5nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×1011cm—2增大到了2.83×1011cm—2;慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大。
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