I-V相关论文
本论文基于氧化镓单晶衬底和薄膜衬底,制备了不同电极间距的肖特基二极管,对二极管进行了一系列的电学测试,并对测试结果进行了分......
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采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二......
利用有限元分析软件ANSYS分析了在平面上引入立体墙结构的阴极电场分布,给出了立体墙结构阴极表面的场强分布曲线,结合F-N方程计算......
采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进.采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二......
The electrical characteristics of GaN schottky diode with and without the interfacial oxides are compared in this paper.......
通过应用一种新的模型来进行电学测试和参数提取,可以获取SIMOX(离子束注入隔离氧化层)SOI圆片的上界面和下界面的界面态参数以及......
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)......
研究了锗（Ge）量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法（PECVD）在......
采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-......
为了研究衬底多孔硅（PS）的孔隙对硫化锌／多孔硅（ZnS／PS）复合体系的光学性能和电学性质的影响，采用脉冲激光沉积方法在不同孔隙度的PS衬底......
指出Vague集等价于i-v fuzzy集，提出Vague集向模糊集的一种转化方法。...
在i—v Fuzzy集上引入了顺序和运算，并证明了任一非空集X上的一切i—v Fuzzy集的全体F（X）^i-v构成一完备的完全分配格，且关于引入的对......
基于光伏模块的直流物理和数学模型,在matlab仿真环境下,开发了一种光伏阵列的仿真模型。利用该模型可以模拟太阳辐射的任意强度、......
在p-n结光伏探测器的I-V曲线上选取与电压、电流轴的交点作为工作点，分析讨论输出短路或开路时的信号和噪声，继而得到探测率，进行比较......
用溶胶-凝胶法，在Si单品片上定向外延生长单钙钛矿氧化物La1-xSrMnO3（LSMO）（x=0．3、0．5、0．7）薄膜和异质结。X射线衍射结果表明LSMO薄膜成......
密码学中对称加密,各种公钥密码都归结为群的运算,基于此,对右对合广群的i-v Fuzzy性及Fuzzy理想进行了研究,给出了A为右对合广群X......
本文对[1]中引入的L─fuzzy广群进行了继续讨论,研究了L─fuzzy子广群的象与逆象问题.同时引入了i-V L─fuzzy广群的概念.获得了某......
分别利用区间的中值和Hausdorff测度将基于记分函数的实数型Vague集的相似度方法扩展到i-v Vague集上，比较各种方法的优缺点．并且充......
采用脉冲激光沉积（PLD）技术,以MgO作为缓冲层,在AlGaN/GaN半导体异质结构上沉积了Pb（Zr0.52T0.48）O3（PZT）铁电薄膜,从而形成金属-铁电-介......
利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸（AuCI3溶液）作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性。测试表明，Au／HgI2和AuC......
纳米MoS2薄膜具有特殊的层状结构、较高的化学稳定性、良好的润滑性能，同时作为p型半导体材料使其具有广阔的应用前景，所以，纳米MoS2......
本课题的主要研究目的在于用S钝化来降低Si表面的表面态,并且希望解决SiC和Si界面态问题,提升Si/SiC.异质结的光电特性。实验分别......
半导体器件的性能受到表面态的影响很大,表面态在SiC半导体器件中也是不可避免的,由于表面处化学键的断裂或不匹配,表面会存在大量......
碳化硅(SiC)由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性,使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的......
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碳化硅（SiC）由于具有宽禁带、高击穿场强、高热导率等优异的物理及电子学特性,使其在高温、高频、大功率及抗辐射等领域具有广阔的应......
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