基于高迁移率微晶硅的薄膜晶体管

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dmf625

【摘要】

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近年来,微晶硅(μc-Si:H)被认为是一种制作 TFT 的有前景的材料.采用PECVD法,在低于200℃时制作了微晶硅TFTs,其制作条件类似于非晶态 TFTs.微晶硅 TFTs 器件的迁移率超过了

【作者】

：

CHAN Kah-Yoong Eerle Bunte Hel

【机构】

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不来梅国际大学,玉利希研究中心

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

薄膜晶体管 TFT 微晶硅大面积电子 Thin-Film Transistors TFTs Microcrystalline Silicon Large Ar

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近年来,微晶硅(μc-Si:H)被认为是一种制作 TFT 的有前景的材料.采用PECVD法,在低于200℃时制作了微晶硅TFTs,其制作条件类似于非晶态 TFTs.微晶硅 TFTs 器件的迁移率超过了 30 cm2/Vs,而阈值电压是 2.5 V.在长沟道器件(50～200 μm)中观测到了这种高迁移率.但对于短沟道器件(2 μm),迁移率就降低到了7 cm2/Vs.此外,该 TFTs 的阈值电压随着沟道长度的减少而增大.文章采用了一种简单模型解释了迁移率、阈值电压随着沟道长度的缩短而分别减少、增加的原因在于源漏接触电阻的影响.

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