【摘 要】
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基于180 nm绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关.提出了一种体区自适应偏置技术,无需偏置电阻对开关管体区进行偏置.采用
【机 构】
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河北新华北集成电路有限公司,石家庄050200中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;
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基于180 nm绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关.提出了一种体区自适应偏置技术,无需偏置电阻对开关管体区进行偏置.采用并联电容补偿技术优化最大输入功率,在长期演进(LTE)9 dB峰均比(PAR)信号输入下,发射通道平均承受功率可达20 W.在3.5 GHz芯片发射通道的插入损耗为0.49 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为47 dBm,隔离度为38 dB.在3.5 GHz芯片接收通道的插入损耗为0.43 dB,0.1 dB压缩点的输出功率为31 dBm,隔离度为38 dB.该射频开关芯片适用于5G移动通信LTE基站.
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