绝缘体上硅(SOI)相关论文
为了减小正交耦合误差对硅微电子机械系统(MEMS)陀螺仪性能的影响,提高陀螺仪零偏精度,对MEMS陀螺仪正交耦合补偿技术进行研究.建......
绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器理论工作温度可达450℃,但传统的器件在高温、振动以及高腐蚀环境中电连接容易失效.开展基于无引......
在密闭腔室,设计加热器和测温元件结构并充入气体后加热,腔室内可以形成稳定的热对流场.由于气体存在惯性,当外界有加速度作用时,......
研究了基于0.18 μm 部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS 器件的高温特性.借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该......
为研究自加热效应对绝缘体上硅(SOI)MOSFET漏电流的影响,开发了一种可同时探测20 ns时瞬态漏源电流-漏源电压(Ids-Vds)特性和80 μ......
基于180 nm绝缘体上硅(SOI) CMOS工艺,设计了一款大功率、低插入损耗的单刀双掷(SPDT)反射式射频开关.提出了一种体区自适应偏置技......
针对目前压阻式水听器在工作时需要外加电源、对温度敏感以及制造过程复杂的问题,提出了一种以AlN为压电材料的压电薄膜式水听器.......
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表......
采用电子束曝光、感应耦合等离子体刻蚀和热氧化等工艺技术,通过独特的图形反转设计,即在电子束曝光时采用负的曝光图形,并以电子......
和直波导的不同在于 ,三维楔脊形波导中的光场都是不稳定的 .分别对波导_光纤耦合、光纤_波导耦合两种情况 ,将三维楔脊形波导等效......
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。......
期刊
SOI（绝缘体上硅）静态存储器与用传统体硅技术制备的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型.基于读写过程中......
提出并研制了一种二维电场检测传感芯片,将四个电场测量微型单元和旋转式驱动微结构集成在3.5 mm×3.5 mm的敏感结构上,实现了单芯......
利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管，并在ON偏置条件下分别对其进行了10keVX射线及^60Coγ射线总剂量辐照实验。实验......
采用硅离子注入工艺对注氧隔离（SIMOX）材料进行改性，在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS／SOI反相器，并对其进行^60Co......
研究了在改性注氧隔离（SIMOX）材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明......
集成电路技术的发展为丰富航天元器件的功能带来了无限可能,但先进工艺元器件在辐射环境下的工作可靠性也将面临新的挑战,因此开展......
基于硅压阻效应,利用微电子机械系统(MEMS)技术,研制了一种可用于多种领域的高温绝压压力传感器。为了达到耐高温的目标,传感器芯......
在SOI晶圆材料的基础上,设计了压力敏感结构,提高了传感器的高温稳定性;采用敏感芯片背孔引线技术,将硅敏感芯片的正面和硼玻璃进......
为了解决深刻蚀绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)材料时存在的横向刻蚀(Footing)效应,在背腔释放SOI微机电系统(micro electr......
该文研制了一种新型的基于SOI(Silicon-On-Insulator)微机械加工技术的高性能电场传感器敏感结构。为提高传感器的灵敏度和信噪比,......
0.8μm CMOS/SOI的模型参数提取是基于0.8μm CMOS/SOI工艺,选用HSPICE中的level 57模型。介绍了测试图形的设计经验,分析了SOI器......
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期刊
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基于上海微系统与信息技术研究所0.13μm抗辐射部分耗尽(PD)绝缘体上硅(SOI)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺标准单元库,设计了一......
由于与CMOS工艺兼容,而且Si和Si02的高折射率差使得硅基光波导器件可以做的非常紧凑,基于这两点硅基光子学在集成光路中表现出显著......
基于半导体硅的压阻效应,研制了一种MEMS大量程压力传感器。为了实现大量程压力测量,采用了不锈钢材质制作了压力敏感膜片。利用有......
利用绝缘体上硅(SOI)技术研制了一种可以用于飞行高度测量、气象环境监测和医疗等领域的高精度微电子机械系统(MEMS)电容式压力传......
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由于当前绝缘体上硅（SOI）压阻传感器芯片的封装质量仍依赖人工检测,本文提出了一种自动实现该项检测的视觉检测方法。分析了压阻传感......
光子集成芯片因其带宽大、稳定性高、成本低等优点,被广泛应用于大容量通信、光信号处理、航电系统等重要领域。波导光栅耦合器是......
基于硅的压阻效应,利用微电子机械系统(MEMS)技术研制了一种汽车碰撞试验用低阻尼、宽频响的加速度传感器。为了满足小体积和高性......
设计并制备了一种基于绝缘体上硅(SOI)材料、量程为5 Pa~1.8 MPa的压阻式压力传感器。在设计方面,通过有限元分析软件和经典理论相......
期刊
单片集成智能功率驱动芯片属于高低压兼容功率集成电路,其内部集成有功率器件、高压驱动电路,以及故障检测、信号产生、智能控制等......
从传感器的受力结构、能量转化结构和金属引线三个方面对SOI压阻式压力传感器芯片进行高温设计,计算出每个因素所造成的影响并与外......
期刊
为了提高传感器的品质因数,有效保护谐振器,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)-玻璃阳极键合工艺的谐振式微电子机械系统(MEMS)压力传......
绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景。采......
期刊
提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区)......
本文提出一种高k介质电导增强SOI LDMOS新结构(HK CE SOI LDMOS),并研究其机理.HK CE SOI LDMOS的特征是在漂移区两侧引入高k介质,......
期刊
随着现代通信技术的迅猛发展,为满足海量数据传输以及超高速信息处理的需求,具备大带宽、低延迟和低损耗等优势的光互连技术已成为......
学位
本文综述了纳米时代的高端硅基材料-SOI,sSOI和GOI,并结合介绍了上海微系统所和上海新傲科技有限公司相关的研究工作.......
