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研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET（DRTG-LDMOS），讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响，以及DRTG-LDMOS的电容特性，与传统的槽栅器件结构相比，新结构在相同的漂移长度和导通电阻下，击穿电压提高了30V，并表现出优异的频率特性；
新型双RESURF TG-LDMOS器件结构
【摘 要】
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研究了采用双RESURF技术的槽栅横向双扩散MOSFET（DRTG-LDMOS），讨论了双RESURF技术对击穿电压的影响，以及DRTG-LDMOS的电容特性，与传统的槽栅器件结构相比，新结构在相同的漂移长度和
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,西安电子科技大学微电子学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年2期
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