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研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同时，深阱终端结构在不减小散热面积的情况下，还大大减小了结面积，减小了漏电流，有助于改善器件的频率特性，提高器件的稳定性。
提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构
【摘 要】
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研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理，模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明，带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的９０％。同
【机 构】
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电子科技大学微电子科学与技术系!成都６１００５４,电子科技大学微电子科学与技术系!成都６１００５４,电子科技大学微电子科学与技术系!成都６１００５４
【出 处】
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电子科技大学学报
【发表日期】
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1999年03期
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