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在埋氧化层厚度不同的SIMOX衬底上制备了H型栅结构器件。经过总剂量辐照后，器件的正栅亚阈值特性无明显变化，背栅亚阈值特性发生平移，但均未发生漏电，说明其抗辐照性能超过1E6rad（Si）。辐照后器件的寄生双极晶体管增益有所增大，并且与背栅阈值电压的变化趋势相似，可能是由于埋氧化层中的正电荷积累使体区电位升高，提高了发射极的发射效率。