1918年，被誉为“中国半导体材料之母”的林兰英出生于福建莆田，她从小便显露出顽强的性格。那时的女孩子几乎没有上学的机会，六岁的林兰英却靠绝食三天打动了重男轻女的母亲，换来了上學的机会。1936年，她以优异的成绩考入某大学，后来更是作为交换生前往美国某著名学院数学系留学。因为成绩优秀，林兰英很快受到数学系教授的器重，被称为“东方才女”。
　　获得数学学士学位后，鉴于人才难得，教授推荐她去芝加哥大学深造。林兰英放弃了，她想到了当时落后的祖国，考虑到物理学更能促进国力的增强，决定去另一所大学念固体物理。1955年，林兰英的博士论文发表于美国最具权威的《物理评论》杂志上，受到高度好评，她也因此成为该大学建校215年来的第一位女博士。
　　在导师的推荐下，林兰英受聘于美国某物理公司任高级工程师，很快便因成功解决拉制硅单晶和锗单晶时出现的难题而一鸣惊人。奖励、加薪接踵而来，林蘭英却一刻也没有放下回国的念头。奈何出色的成绩令她在美国联邦调查局“榜上有名”，归国之路受到百般刁难。
　　随着日内瓦会议的召开，美国终于同意中国留学生可以自由回国。以“母亲重病”为由，林兰英提交了回国申请。她提出辞职的时候，公司主管非常意外，并提醒她：“你回到中国，只会过一种大大低于美国生活水准的生活。”一对美籍华人朋友也专程赶来劝说，林兰英却斩钉截铁地拒绝了。
　　1957年春节，冲破了联邦调查局的层层阻拦，林兰英回到了阔别八年的祖国。之后的一件事令她的报国之志更加坚定：当她因急性腹膜炎被抬上手术台时，周总理指示医护人员“只能治好，不能出任何意外”，林兰英听到后热泪盈眶。
　　病好后，林兰英被安排到中国科学院应用物理所，研究当时刚刚起步的半导体材料。虽然困难重重，但一腔报国志的她为了填补我国半导体材料的空白，义无反顾地同意了。在她的介入下，中国科学院仅仅半年就拉制出了中国第一根锗单晶，比苏联专家为我国制定的规划整整提前了十年。1958年，中国拥有了半导体收音机。
　　为了拉制性能更先进和用途更广泛的硅单晶，林兰英煞费苦心。她考察了苏联封闭式硅单晶炉，试验后发现其有难以弥补的缺陷，于是决心自己设计一台中国式的硅单晶炉。沉浸在工作中，历经废寝忘食的苦苦摸索， 1961年，由她主持设计的第一台开门式硅单晶大炉终于制造成功了！第一根无错位的硅单晶拉制成功后，经检测，达到了国际先进水平。
　　林兰英继续紧盯半导体科学前沿，砷化镓（半导体材料的一种）成了她的下一个目标。然而，当时我国决定和西方国家联合开发，林兰英飞赴欧洲与对方商谈时，外国专家话语里的轻视和倨傲的态度深深刺伤了她的民族自尊心，也更加坚定了她要为中国研发砷化镓的决心。功夫不负有心人，在林兰英领导的联合研究组的共同钻研下，1987年8月，在我国自己发射的返回式卫星上，成功生长出两块砷化镓单晶。一年后，我国再次成功进行了掺硅砷化镓单晶太空生长试验，这是世界上第一次利用太空材料制作成半导体器件，林兰英因此被誉为“中国半导体材料之母”“中国太空材料之母”。
　　她一生没有结婚，全部的精力和智慧都贡献给了科学，她的丰功伟绩、赤子情怀值得每一个中国人为之骄傲。
　　编 辑/夏 涵