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上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布,基于公司成熟的0.13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台,已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性(UHR—ultraHighReliability)的嵌入式非挥发性存储器模块(EEPROM/FlashlP),使0.13微米SONOSEEPROM/FlashIP的数据保存时问从常规的10年提升到了超过30年,而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0.13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势,巩固公司在智能