【摘 要】
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将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化，坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体，在石墨表面形成ＳｉＣ多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约０．５ｍｍ的ＳｉＣ体材料。用
【机 构】
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西安理工大学电子工程系,西安理工大学应用物理系
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将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化，坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体，在石墨表面形成ＳｉＣ多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约０．５ｍｍ的ＳｉＣ体材料。用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）、Ｘ线射衍射（ＸＲＤ）、Ｒａｍａｎ散射等手段对样品进行了检测分析。实验结果表明所制备样品为３Ｃ－ＳｉＣ多晶体。
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