Si（111）衬底上生长GaN晶绳的研究

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lonely

【摘要】

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利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对晶绳进行组成

【作者】

：

曹文田孙振翠魏芹芹薛成山王强

【机构】

：

山东师范大学半导体研究所

【出处】

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功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

：

热壁化学气相沉积氮化镓晶绳傅里叶红外吸收谱 SEM SAED XRD 光致发光谱 hot - wall chemical vapor deposition

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利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对晶绳进行组成、结构、形貌和光学特性分析.初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶绳.SEM显示在均匀的薄膜上出现6μm的晶绳,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN同时含有少量的C污染,由XRD和SAED的综合分析得出晶绳呈六方纤锌矿单晶结构,PL测试表明晶绳呈现不同于GaN薄膜的发光

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