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利用分子束外延技术，生长了极氏阈值电流密度，低内损耗，高量子效率的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器，在腔长９００μｍ时，８０μｍ宽接触激光器阈值电流密度是１２５Ａ／ｃｍ＾２，在腔长为２０００μｍ时是１１３Ａ／ｃｍ＾２，这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值，激光器的内损耗的内量子效率分别是２ｃｍ＾－１和８４％。