InGaAs/GaAs应变量子阱光伏谱激子峰展宽的研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:willingqiu
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实验得到不同温度下应变InGaAs/GaAs量子阱的光伏谱,通过理论计算与实验结果的比较,对各谱峰进行了指认。本文着重考察各样品中11H跃迁的激子谱峰的半宽随温度及阱宽的变化,讨论了谱峰展宽机制中的声子关联,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响。
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