论文部分内容阅读
本文用卢瑟福背散射（ＲＢＳ），横断面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）及微区电子衍射技术研究了锗离子注入硅单晶中的非晶化及二次缺陷的特性。离子注入能量为４００ｋｅＶ，剂量范围为１×１０＾１＾３至１×１０＾１＾５／ｃｍ＾２，离子束流流强度为０．０４６μＡ／ｃｍ＾２，注入温度为室温。实验发现，在本工作的离子注入条件下，入射锗离子使硅单晶表面注入层开始非晶化的起始剂量大于０．６×１０＾１＾４／ｃｍ＾２。形成一个