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基于窄带低噪声放大器理论，设计了一种2．4GHz，具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGeBiCMOS低噪声放大器。采用TSMC0．35／μmSiGeBiCMOS工艺库，利用SpectreRF软件的仿真结果显示，该电路具有2．27dB低噪声系数，11．5dB正向增益；2V工作电压下，其功耗仅为6．1mw。研究结果表明，该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。