【摘 要】
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利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和
【机 构】
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华中理工大学固体电子学系,华中理工大学激光技术国家实验室
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利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用Ｘ射线衍射表征了该多层膜的晶相结构，扫描电镜观察其表面形貌。ＰＺＴ铁电薄膜的剩余极化为２１μＣ／ｃｍ２，矫顽场为６５ｋＶ／ｃｍ。
A Pb (Zr0.55Ti0.45) O3 ferroelectric thin film was deposited on an epitaxial YBCO / LaAlO3 (100) single crystal substrate by using a pulsed excimer laser (working gas XeCl, wavelength of 308 nm, pulse width of 28 ns) The highly oriented PZT film provides the crystal matching conditions as well as the lower electrode for the PZT ferroelectric film. The effect of process parameters on the crystal structure and surface morphology was discussed. The crystal structure of the multilayers was characterized by X-ray diffraction. The surface morphology was observed by scanning electron microscopy. The remanent polarization of the PZT ferroelectric thin film was 21 μC / cm2 and the coercive field was 65 kV / cm.
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