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本文详细测量并分析了InGaAs/GaAs应变量子阱中的激子发光衰退特性，研究了激子发光寿命与In组分和阱宽的关系。发现In组分增大时，激子寿命变短，而发光寿命与阱宽的关系不大。文章分析了影响发光寿命的诸多因素，指出在InGaAs/GaAs量子阱中，由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响。