论文部分内容阅读
应用材料公司在AppliedCenturaRPEpi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术，继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20nm节点时将外延沉积从PMOS（P型金属氧化物半导体）向NMOS（N型金属氧化物半导体）晶体管延伸的趋势，推动芯片制造商打造出更快的终端，提供下一代移动计算能力。NMOS外延可将晶体管速度提高半个器件节点，同时不增加关闭状态下的功耗。