【摘 要】
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用ＳＦ＿６／ＣＣｌ＿２Ｆ＿２加Ｏ＿２混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀机上，进行了深刻蚀硅的研究。当掩膜厚度约１２０ｎｍ－１５０ｎｍ的Ｃｒ薄膜时，研究了Ｏ＿２在混合气体中的比例对刻蚀形貌和刻蚀速率的影响。用获得的各向异性刻蚀工艺
【机 构】
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中科院上海冶金所传感技术研究室，复旦大学电子工程系
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用ＳＦ＿６／ＣＣｌ＿２Ｆ＿２加Ｏ＿２混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀机上，进行了深刻蚀硅的研究。当掩膜厚度约１２０ｎｍ－１５０ｎｍ的Ｃｒ薄膜时，研究了Ｏ＿２在混合气体中的比例对刻蚀形貌和刻蚀速率的影响。用获得的各向异性刻蚀工艺，己刻蚀出高度为１０μｍ的硅台阶，台阶倾角小于５°，横向腐蚀约为０．５μｍ，刻蚀表面粗糙度约１０％。
With SF_6 / CCl_2F_2 plus O_2 gas mixture, in a common flat-type reactive ion etching machine, deep etching of silicon research. When the mask thickness of Cr film about 120nm-150nm, the study of the proportion of O_2 in the mixed gas etching morphology and etch rate. Using the obtained anisotropic etching process, the silicon step having a height of 10 μm was etched to a step pitch of less than 5 °, the lateral etching was about 0.5 μm, and the etching surface roughness was about 10%.
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