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利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（〈１００Ｋ）在其σ－Ｖ，Ｉ－Ｖ及Ｃ－Ｖ特性曲线上呈出共振隧穿峰，库仑台阶和量子振荡现象，说明，对无序分布着量子点阵列，只要其粒子尺寸足够小，同样会发生量子功能作用，估计了室温范围呈出这种量子功能作用的可能性。
纳米硅薄膜二极管中的共振隧穿现象
【摘 要】
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利用纳米硅薄膜中微晶粒的量子点（Ｑ．Ｄ）特征制成隧道二极管结构，在液氮温区（〈１００Ｋ）在其σ－Ｖ，Ｉ－Ｖ及Ｃ－Ｖ特性曲线上呈出共振隧穿峰，库仑台阶和量子振荡现象，说明，对无序分布着量子点阵列，只要其粒子尺寸足
【机 构】
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北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,中科院北京半导体所超晶格与微结构国家实验室,北京大学电子学系,西安理工大学物理系,河北大学电子科学与信息工程系
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1998年1期
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