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对瞬态模式ＬｉＮｂＯ３抽头延迟线（ＴＤＬ）外接ＰＮ二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器进行了详尽的理论分析，对影响器件性能的重要参量进行了分析计算。讨论了器件存储时间与二极管少于寿命的关系，给出了二极管在窄脉冲作用下的瞬态充电过程。并对研制的器件进行了测试，器件的效率为－７６ｄＢｍ。文中结论可用于这种结构器件的设计及优化。