【摘 要】
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利用射频溅射方法制备了非晶态Hg1-χCdχTe薄膜（χ=0，0．22，0．50，0．66，1），在80K~300K温度范围内，研究了Cd组分χ对暗电导的影响。当温度T〉210K时，随着Cd组分增加，暗电导减小；当温度T〈210K
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利用射频溅射方法制备了非晶态Hg1-χCdχTe薄膜（χ=0，0．22，0．50，0．66，1），在80K~300K温度范围内，研究了Cd组分χ对暗电导的影响。当温度T〉210K时，随着Cd组分增加，暗电导减小；当温度T〈210K，随着Cd组分增加，则暗电导增大；当温度T=210K时，暗电导几乎与Cd组分无关。这可能是由于随着Cd组分增加，薄膜中的缺陷增加所致。a-Hg1-χCdχTe（χ=0、0．22、0．50、0．66和1）薄膜中存在扩展态电导和局域态电导，Cd组分χ越大，两种导电机制的转变温度Tm也
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